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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.2V,2.5V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 25pF @ 10V | |
| 封装/外壳 | EMT3 | |
| 连续漏极电流Id | 200mA(Ta) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@200mA,2.5V |
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承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
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