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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.2V,2.5V | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 25pF @ 10V | |
封装/外壳 | EMT3 | |
连续漏极电流Id | 200mA(Ta) | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | |
功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) | |
栅极电压Vgs | ±8V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@200mA,2.5V |
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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |