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R6020KNJTL  与  AOB25S65L  区别

型号 R6020KNJTL AOB25S65L
唯样编号 A-R6020KNJTL A-AOB25S65L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V 190 mΩ @ 12.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 231W(Tc) 357W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263(D?Pak)
连续漏极电流Id 20A(Tc) 25A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 26.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1550pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

暂无价格 0 对比
SPB20N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB20N60S5ATMA1_10mm

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STB25NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB25S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比

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