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PSMN6R5-80BS,118  与  IRFS4310TRLPBF  区别

型号 PSMN6R5-80BS,118 IRFS4310TRLPBF
唯样编号 A-PSMN6R5-80BS,118 A32-IRFS4310TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 210W 300W(Tc)
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 130A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 4461pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 0 34
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税)
210+ :  ¥8.853
400+ :  ¥7.5025
800+ :  ¥6.883
1+ :  ¥18.399
25+ :  ¥17.6913
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
50: ¥36.2694
100: ¥28.7856
500: ¥25.9013
900 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
23 对比
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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AUIRFS4310TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

10mm TO-263-3

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