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通用MOSFET   TO-263-3

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RJ1P12BBDTLL
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RJ1P12BBDTLL
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:120A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:4V@2.5mA Pd-功率耗散(Max):178W(Tc) 封装/外壳:TO-263-3
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 120A(Tc)
FET类型 N-Channel
Vgs(最大值) ±20V
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5.8mOhms@50A,10V
栅极电压Vgs 4V@2.5mA
栅极电荷Qg 80nC@10V
Pd-功率耗散(Max) 178W(Tc)
封装/外壳 TO-263-3
工作温度 150℃(TJ)
漏源极电压Vds 100V
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库存 :  23

价格梯度 单价(含税)
3+ ¥73.2671
10+ ¥40.294
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:1,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:3 倍数:1

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生产年份  :  2020 年

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