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PSMN4R3-30BL,118  与  FDB6670AL  区别

型号 PSMN4R3-30BL,118 FDB6670AL
唯样编号 A-PSMN4R3-30BL,118 A32-FDB6670AL
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 68W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5 毫欧 @ 40A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W -
输出电容 500pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -65°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 80A(Ta)
输入电容 2400pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2440pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 5V
库存与单价
库存 0 130
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税)
210+ :  ¥5.798
400+ :  ¥4.9136
800+ :  ¥4.5079
1+ :  ¥1.1197
25+ :  ¥1.0018
100+ :  ¥0.8634
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30BL_SOT404

¥5.798 

阶梯数 价格
210: ¥5.798
400: ¥4.9136
800: ¥4.5079
0 当前型号
FDB6670AL ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

¥1.1197 

阶梯数 价格
1: ¥1.1197
25: ¥1.0018
100: ¥0.8634
130 对比
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D2PAK

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