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PSMN4R3-30BL,118  与  IRF3709ZCS  区别

型号 PSMN4R3-30BL,118 IRF3709ZCS
唯样编号 A-PSMN4R3-30BL,118 A-IRF3709ZCS
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.3mΩ@21A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W 79W(Tc)
输出电容 500pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 87A(Tc)
输入电容 2400pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2130pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥5.798
400+ :  ¥4.9136
800+ :  ¥4.5079
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