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PSMN4R3-30BL,118  与  IRF1503STRLPBF  区别

型号 PSMN4R3-30BL,118 IRF1503STRLPBF
唯样编号 A-PSMN4R3-30BL,118 A-IRF1503STRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@140A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W 200W(Tc)
输出电容 500pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 190A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 2400pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5730pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥5.798
400+ :  ¥4.9136
800+ :  ¥4.5079
暂无价格
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