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IRLR7833TRPBF  与  AOD4132  区别

型号 IRLR7833TRPBF AOD4132
唯样编号 A-IRLR7833TRPBF A36-AOD4132
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 5.5 mOhm 50 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 390
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@15A,10V 4mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6mΩ
Qgd(nC) - 17.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 140A 85A
Ciss(pF) - 3700
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4010pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 34
Td(off)(ns) - 40
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 30
VGS(th) - 3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4010pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 700
Qg*(nC) - 33
库存与单价
库存 0 790
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.65
100+ :  ¥1.265
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR7833TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
790 对比
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
BUK9207-30B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9207-30B_SOT428

¥15.3792 

阶梯数 价格
400: ¥15.3792
1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
0 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比

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