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IRLR7833TRPBF  与  BUK9207-30B,118  区别

型号 IRLR7833TRPBF BUK9207-30B,118
唯样编号 A-IRLR7833TRPBF A-BUK9207-30B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 5.5 mOhm 50 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@15A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 167W
输出电容 - 635pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak SOT428
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 185℃
连续漏极电流Id 140A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4010pF @ 15V -
输入电容 - 2573pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V,7.7mΩ@4.5V,7mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4010pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
400+ :  ¥15.3792
1,000+ :  ¥10.6064
1,250+ :  ¥8.9885
2,500+ :  ¥7.3676
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR7833TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 140A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 2,500 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

¥2.079 

阶梯数 价格
30: ¥2.079
100: ¥1.606
1,250: ¥1.397
2,500: ¥1.331
2,500 对比
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.914
785 对比
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比

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