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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 85A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 6mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 3700 | |
| Coss(pF) | 700 | |
| Crss(pF) | 390 | |
| Qg*(nC) | 33 | |
| Qgd(nC) | 17.6 | |
| Td(on)(ns) | 12 | |
| Td(off)(ns) | 40 | |
| Trr(ns) | 34 | |
| Qrr(nC) | 30 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD4132 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥3.6735
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359 | 当前型号 | ||||||||||
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IPD040N03L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD040N03LGATMA1_6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD4132L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252,(D-Pak) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD040N03LGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD040N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD04N03LB G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRLR7833TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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