首页 > 商品目录 > > > > IRLML6402TRPBF代替型号比较

IRLML6402TRPBF  与  NTR4101PT1G  区别

型号 IRLML6402TRPBF NTR4101PT1G
唯样编号 A-IRLML6402TRPBF A36-NTR4101PT1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.7A,4.5V 85m Ohms@1.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 420mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 3.2A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V 675pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 8.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 440 3,879
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6875
200+ :  ¥0.5239
1,500+ :  ¥0.455
3,000+ :  ¥0.403
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 440 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4589 

阶梯数 价格
110: ¥0.4589
200: ¥0.2951
3,000: ¥0.2625
78,171 对比
RTR030P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
12,621 对比
AO3419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6237 

阶梯数 价格
90: ¥0.6237
200: ¥0.4037
1,500: ¥0.3499
3,000: ¥0.3113
5,549 对比
PMV50UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50UPE_SOT23

¥0.627 

阶梯数 价格
80: ¥0.627
200: ¥0.4771
1,500: ¥0.416
3,000: ¥0.3679
5,169 对比
NTR4101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
3,879 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售