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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23-3 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | -20V | |
栅极电压Vgs | 12V | |
连续漏极电流Id | -3.5A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@3.5A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 102mΩ | |
Rds On(Max)@2.5V | 140mΩ | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:90 | 倍数:1 |
生产日期 : 两年外
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AO3419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 |
¥0.6237
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5,549 | 当前型号 | |||||||||||||
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT23 |
¥0.4056
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40,222 | 对比 | |||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥0.6891
|
19,245 | 对比 | |||||||||||||
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT23 |
¥0.6677
|
15,390 | 对比 | |||||||||||||
RTR030P02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-96 |
¥1.133
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12,621 | 对比 | |||||||||||||
DMP2160U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
¥0.5499
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5,680 | 对比 |