| 制造商编号 | IRLML6402TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRLML6402TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 633pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@3.7A,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 3.7A | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 440 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4589
|
78,171 | 对比 | ||||||||||
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RTR030P02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-96 |
￥1.133
|
12,621 | 对比 | ||||||||||
|
AO3419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 |
￥0.6237
|
5,549 | 对比 | ||||||||||
|
PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV50UPE_SOT23 |
￥0.627
|
5,169 | 对比 | ||||||||||
|
NTR4101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
SOT-23 |
￥0.6875
|
3,879 | 对比 |
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