首页 > 商品目录 > > > > IRL2505STRLPBF代替型号比较

IRL2505STRLPBF  与  STB60NF06LT4  区别

型号 IRL2505STRLPBF STB60NF06LT4
唯样编号 A-IRL2505STRLPBF A-STB60NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@54A,10V 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 - 220 ns
栅极电压Vgs ±16V ±15V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 104A 60A
配置 - Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 5V,10V
下降时间 - 30 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® STB
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 35 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2505STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7610-55AL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-55AL_SOT404

¥17.5299 

阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
0 对比
BUK9612-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9612-55B_SOT404

¥7.2797 

阶梯数 价格
210: ¥7.2797
400: ¥6.1692
800: ¥5.6598
0 对比
IPB45N06S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售