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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-263 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 75V | |
栅极电压Vgs | ±25V | |
连续漏极电流Id | 100A | |
Pd-功率耗散(Max) | 268W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.2mΩ@30A,10V | |
VGS(th) | 4 | |
Ciss(pF) | 4700 | |
Coss(pF) | 400 | |
Crss(pF) | 180 | |
Qg*(nC) | 114* | |
Qgd(nC) | 18 | |
Td(on)(ns) | 21 | |
Td(off)(ns) | 70 | |
Trr(ns) | 53 | |
Qrr(nC) | 143 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:170 | 倍数:1 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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AOB470L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 |
¥4.7563
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0 | 当前型号 | |||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 11 | 对比 | |||||||||
IRL2505STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
PHB110NQ08T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PHB110NQ08T_SOT404 |
¥10.9066
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0 | 对比 | |||||||||
AUIRF1010EZS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRF1010NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |