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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | STB | |
| 高度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4 mm | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 配置 | Single | |
| 下降时间 | 30 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 上升时间 | 220 ns | |
| 通道数量 | 1 Channel | |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns | |
| 正向跨导-最小值 | 20 S | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 66nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ@30A,10V | |
| 工作温度 | -65°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 60A |
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
10.4mm D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN015-60BS_SOT404 |
￥5.2387
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0 | 对比 | ||||||||
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IRF1010ES | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK(TO-263) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AUIRFS3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF1010ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFZ48VS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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