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IRFTS8342TRPBF  与  RTQ035N03TR  区别

型号 IRFTS8342TRPBF RTQ035N03TR
唯样编号 A-IRFTS8342TRPBF A33-RTQ035N03TR
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74 RTQ035N03 Series 30 V 54 mOhm 3.5 A 2.5 V Drive N-Channel Mosfet - TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8.2A,10V 54m Ohms@3.5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 6-TSOP TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.2A 3.5A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V 285pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 4.5V 6.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC -
库存与单价
库存 0 1,100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥0.8851
500+ :  ¥0.8751
1,000+ :  ¥0.8751
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFTS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 0 当前型号
RTQ035N03TR ROHM Semiconductor 通用MOSFET

TSMT

¥1.4393 

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1: ¥1.4393
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100: ¥1.0697
1,000: ¥0.957
3,000: ¥0.825
6,000: ¥0.759
12,000: ¥0.6982
15,000 对比
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¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
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RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比
RTQ035N03TR ROHM Semiconductor 通用MOSFET

TSMT

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.8751
1,000: ¥0.8751
1,100 对比

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