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IRFTS8342TRPBF  与  RTQ020N03TR  区别

型号 IRFTS8342TRPBF RTQ020N03TR
唯样编号 A-IRFTS8342TRPBF A33-RTQ020N03TR-1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8.2A,10V 125mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 6-TSOP SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.2A 2A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF 135pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC 3.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥1.4853
500+ :  ¥1.2553
1,000+ :  ¥1.2074
2,000+ :  ¥1.1691
4,000+ :  ¥1.1308
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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3,000: ¥0.825
6,000: ¥0.759
12,000: ¥0.6982
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阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
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¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
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140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
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2,275 对比
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¥0.8851 

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170: ¥0.8851
500: ¥0.8751
1,000: ¥0.8751
1,100 对比

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