| 制造商编号 | IRFTS8342TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFTS8342TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.8nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@8.2A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 8.2A | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.8nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| 封装/外壳 | 6-TSOP |
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRFTS8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
TSMT |
￥1.4393
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15,000 | 对比 | |||||||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.4853
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.4853
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
TSMT |
￥0.8851
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1,100 | 对比 |
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