首页 > 商品目录 > > > > IRFR3709ZTRPBF代替型号比较

IRFR3709ZTRPBF  与  DMN3009SK3-13  区别

型号 IRFR3709ZTRPBF DMN3009SK3-13
唯样编号 A-IRFR3709ZTRPBF A36-DMN3009SK3-13-0
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 79 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V 5.5mΩ@30A,10V
上升时间 - 4.1ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 44W
Qg-栅极电荷 - 42nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 86A 80A
系列 HEXFET® -
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 3.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V 2000pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V 42nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,838
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.3068
100+ :  ¥1.0098
1,250+ :  ¥0.8524
2,500+ :  ¥0.7227
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3709ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 对比
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IRFR3709ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售