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IRFR3709ZTRPBF  与  IPD50N03S2L06ATMA1  区别

型号 IRFR3709ZTRPBF IPD50N03S2L06ATMA1
唯样编号 A-IRFR3709ZTRPBF A-IPD50N03S2L06ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 79 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 86A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 85uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3709ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 对比
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IRFR3709ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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