首页 > 商品目录 > > > > IRFR3709ZTRPBF代替型号比较

IRFR3709ZTRPBF  与  IPD50N03S2L-06  区别

型号 IRFR3709ZTRPBF IPD50N03S2L-06
唯样编号 A-IRFR3709ZTRPBF A-IPD50N03S2L-06
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 79 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V 6.4mΩ
上升时间 - 30ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 86A 50A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 136W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3709ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 对比
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IRFR3709ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售