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IRF7904TRPBF  与  FDS6990AS  区别

型号 IRF7904TRPBF FDS6990AS
唯样编号 A-IRF7904TRPBF A32-FDS6990AS
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 1.4/2 W 7.5/14 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 9/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.2mΩ@7.6A,10V 22 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W,2W 900mW
FET类型 N-Channel 逻辑电平门
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.6A,11A 7.5A
系列 HEXFET® PowerTrench®,SyncFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA 3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 15V 550pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V 14nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA 3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 15V 550pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V 14nC @ 5V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.12
2+ :  ¥2.0352
4+ :  ¥1.9537
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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