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IRF7341TRPBF  与  DMN6066SSDQ-13  区别

型号 IRF7341TRPBF DMN6066SSDQ-13
唯样编号 A-IRF7341TRPBF A36-DMN6066SSDQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 车规
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.7A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOIC -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.7A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 46
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.697
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