| 制造商编号 | IRF7341TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF7341TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.7A,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 55V | |
| 连续漏极电流Id | 4.7A | |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO |
￥1.232
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83,004 | 对比 | ||||||||||
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DMN6066SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 车规 |
￥4.697
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46 | 对比 | |||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7341PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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