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IRF7341TRPBF  与  IRF7341PBF  区别

型号 IRF7341TRPBF IRF7341PBF
唯样编号 A-IRF7341TRPBF A-IRF7341PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Dual N-Channel 55 V 2 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.7A,10V 50mΩ@4.7A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.7A 4.7A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 55V 4.7A ±20V

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel

¥1.221 

阶梯数 价格
50: ¥1.221
100: ¥0.9427
1,250: ¥0.7975
2,500: ¥0.6765
47,945 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
46 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
IRF7341PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 4.7A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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