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IRF1010NSTRLPBF  与  IPB50N10S3L-16  区别

型号 IRF1010NSTRLPBF IPB50N10S3L-16
唯样编号 A-IRF1010NSTRLPBF A-IPB50N10S3L-16
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@43A,10V 15.4mΩ
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 85A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 100V
Pd-功率耗散(Max) 180W(Tc) 100W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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