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IRF1010NSTRLPBF  与  BUK7610-55AL,118  区别

型号 IRF1010NSTRLPBF BUK7610-55AL,118
唯样编号 A-IRF1010NSTRLPBF A-BUK7610-55AL,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@43A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 180W(Tc) 300W
输出电容 - 980pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 85A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
输入电容 - 4710pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 10mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
190+ :  ¥17.5299
400+ :  ¥13.4845
800+ :  ¥11.9332
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阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
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