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IPP100N08N3GXKSA1  与  FDP090N10  区别

型号 IPP100N08N3GXKSA1 FDP090N10
唯样编号 A-IPP100N08N3GXKSA1 A32-FDP090N10
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
功率 - 208W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9 毫欧 @ 75A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 75A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 46A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8225pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 208W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8225pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 116nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 80V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 116nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.777
25+ :  ¥1.5317
100+ :  ¥1.3205
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08N3 G_TO-220-3

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¥8.3673 

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1: ¥8.3673
100: ¥6.0294
500: ¥5.1899
1,000: ¥4.1
1,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
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阶梯数 价格
1: ¥1.777
25: ¥1.5317
100: ¥1.3205
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20: ¥8.6038
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