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IPP100N08N3GXKSA1  与  TK34E10N1,S1X  区别

型号 IPP100N08N3GXKSA1 TK34E10N1,S1X
唯样编号 A-IPP100N08N3GXKSA1 A-TK34E10N1,S1X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 100 V
Pd-功率耗散(Max) - 103W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5 毫欧 @ 17A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V 2600 pF @ 50 V
Vgs(th) - 4V @ 500uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 38 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 75A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 46A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 80V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOTF288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

¥8.3673 

阶梯数 价格
1: ¥8.3673
100: ¥6.0294
500: ¥5.1899
1,000: ¥4.1
1,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
FDP090N10 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥1.777 

阶梯数 价格
1: ¥1.777
25: ¥1.5317
100: ¥1.3205
100 对比
TK34E10N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78

¥8.6038 

阶梯数 价格
20: ¥8.6038
50: ¥7.0523
0 对比

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