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IPP100N08N3GXKSA1  与  PSMN8R7-80PS,127  区别

型号 IPP100N08N3GXKSA1 PSMN8R7-80PS,127
唯样编号 A-IPP100N08N3GXKSA1 A-PSMN8R7-80PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 170W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V -
输出电容 - 296pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 90A
输入电容 - 3346pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 46A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 80V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.7mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.6038
50+ :  ¥7.0523
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOTF288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

¥8.3673 

阶梯数 价格
1: ¥8.3673
100: ¥6.0294
500: ¥5.1899
1,000: ¥4.1
1,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
FDP090N10 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥1.777 

阶梯数 价格
1: ¥1.777
25: ¥1.5317
100: ¥1.3205
100 对比
TK34E10N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78

¥8.6038 

阶梯数 价格
20: ¥8.6038
50: ¥7.0523
0 对比

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