首页 > 商品目录 > > > > IPP039N04LGXKSA1代替型号比较

IPP039N04LGXKSA1  与  IRL1004PBF  区别

型号 IPP039N04LGXKSA1 IRL1004PBF
唯样编号 A-IPP039N04LGXKSA1 A-IRL1004PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Single N-Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@78A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 130A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5330pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 45uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP039N04LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N04L G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 0 对比
IRF4104 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
IRL1004PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL1404ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL1004 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售