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IPP039N04LGXKSA1  与  IRF2204PBF  区别

型号 IPP039N04LGXKSA1 IRF2204PBF
唯样编号 A-IPP039N04LGXKSA1 A-IRF2204PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.6mΩ
Qg-栅极电荷 - 130nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 210A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5890pF @ 25V
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 330W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 45uA -
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP039N04LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N04L G_TO-220-3

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