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IPP039N04LGXKSA1  与  IRL1004  区别

型号 IPP039N04LGXKSA1 IRL1004
唯样编号 A-IPP039N04LGXKSA1 A-IRL1004
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@78A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 45uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 130A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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