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IPB60R190C6ATMA1  与  R6020ENJTL  区别

型号 IPB60R190C6ATMA1 R6020ENJTL
唯样编号 A-IPB60R190C6ATMA1 A3-R6020ENJTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 151W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥79.1411 

阶梯数 价格
2: ¥79.1411
10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
500: ¥16.2039
1,000: ¥15.7727
2,000: ¥15.696
2,000 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥79.1411 

阶梯数 价格
2: ¥79.1411
10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
220 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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