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IPB027N10N3GATMA1  与  AOB290L  区别

型号 IPB027N10N3GATMA1 AOB290L
唯样编号 A-IPB027N10N3GATMA1 A36-AOB290L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 42
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 21
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14800pF @ 50V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 31
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 140A
Ciss(pF) - 7180
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.7 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 65
Td(off)(ns) - 45
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 500W
Qrr(nC) - 460
VGS(th) - 4.1
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 275uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 2780
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB027N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB027N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
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