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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 140A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 500W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.2mΩ@10V | |
| VGS(th) | 4.1 | |
| Ciss(pF) | 7180 | |
| Coss(pF) | 2780 | |
| Crss(pF) | 42 | |
| Qg*(nC) | 90* | |
| Qgd(nC) | 21 | |
| Td(on)(ns) | 31 | |
| Td(off)(ns) | 45 | |
| Trr(ns) | 65 | |
| Qrr(nC) | 460 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IPB027N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 |
￥31.5261
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN3R8-100BS_SOT404 |
￥15.4899
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPB027N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB027N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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|
IPB027N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPB027N10N5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB027N10N5_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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