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DMTH4007LK3-13  与  IPD50N04S308ATMA1  区别

型号 DMTH4007LK3-13 IPD50N04S308ATMA1
唯样编号 A-DMTH4007LK3-13 A-IPD50N04S308ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2350pF @ 25V
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 16.8A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.5 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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