制造商编号 | IRFR4104TRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFR4104TRPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 89nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2950pF @ 25V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5mΩ@42A,10V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
FET类型 | N-Channel | |
连续漏极电流Id | 119A | |
漏源极电压Vds | 40V | |
封装/外壳 | D-Pak |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFR4104TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 50 | 当前型号 | |||||||||||
IRFR4104TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
¥4.972
|
9,000 | 对比 | |||||||||||
DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
IRFR4104TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
IRFR4104TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
BUK9207-30B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK9207-30B_SOT428 |
¥15.3792
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0 | 对比 |