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DMT6009LK3-13  与  IPD50N06S4-09  区别

型号 DMT6009LK3-13 IPD50N06S4-09
唯样编号 A-DMT6009LK3-13 A-IPD50N06S4-09
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 2V,4V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 13.3A(Ta),57A(Tc) 50A
RthJC max - 2.1 K/W
QG (typ @10V) - 36.0 nC
驱动电压 4.5V,10V -
Ptot max - 71.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.25
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

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