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DMT6009LK3-13  与  IPD088N06N3GBTMA1  区别

型号 DMT6009LK3-13 IPD088N06N3GBTMA1
唯样编号 A-DMT6009LK3-13 A-IPD088N06N3GBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V 3900pF @ 30V
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.3A(Ta),57A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.8 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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