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DMT6009LK3-13  与  AUIRFR48Z  区别

型号 DMT6009LK3-13 AUIRFR48Z
唯样编号 A-DMT6009LK3-13 A-AUIRFR48Z
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252 Single N-Channel 55 V 11 mOhm Auto Grade Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta) 91W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.3A(Ta),57A(Tc) 62A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1720pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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