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DMT34M2LPS-13  与  BSZ050N03MSGATMA1  区别

型号 DMT34M2LPS-13 BSZ050N03MSGATMA1
唯样编号 A-DMT34M2LPS-13 A-BSZ050N03MSGATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),48W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 15V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.5 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT34M2LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
BSZ050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

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