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DMT34M2LPS-13  与  BSC052N03LS  区别

型号 DMT34M2LPS-13 BSC052N03LS
唯样编号 A-DMT34M2LPS-13 A-BSC052N03LS
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ
上升时间 - 3.6nS
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 28W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs - 10V
正向跨导 - 最小值 - 38S
典型关闭延迟时间 - 13nS
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) 57A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
下降时间 - 2.4ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT34M2LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
BSZ050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

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