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DMN6068LK3-13  与  RSD050N06TL  区别

型号 DMN6068LK3-13 RSD050N06TL
唯样编号 A-DMN6068LK3-13 A32-RSD050N06TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L MOSFET N-CH 60V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ -
上升时间 10.8ns -
Qg-栅极电荷 10.3nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 10V
栅极电压Vgs 1V -
正向跨导 - 最小值 19.7S -
封装/外壳 DPAK CPT3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A -
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 109 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
下降时间 8.7ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 8.49W -
典型关闭延迟时间 11.9ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
系列 DMN6068 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 3.6ns -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.715
25+ :  ¥3.4397
100+ :  ¥3.185
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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500: ¥3.2006
500 对比
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CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
197 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥3.715 

阶梯数 价格
1: ¥3.715
25: ¥3.4397
100: ¥3.185
100 对比

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