首页 > 商品目录 > > > DMN3033LSD-13代替型号比较

DMN3033LSD-13  与  IRF7904TRPBF  区别

型号 DMN3033LSD-13 IRF7904TRPBF
唯样编号 A-DMN3033LSD-13 A-IRF7904TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Dual N-Channel 30 V 1.4/2 W 7.5/14 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.2mΩ@7.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W,2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 7.6A,11A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS6990AS ON Semiconductor 通用MOSFET

SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SO

¥2.12 

阶梯数 价格
1: ¥2.12
2: ¥2.0352
4: ¥1.9537
20 对比
FDS6982AS ON Semiconductor 小信号MOSFET

4.9mm SOIC 5mm 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
AO4854 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7904TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售