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DMN3033LSD-13  与  FDS6982AS  区别

型号 DMN3033LSD-13 FDS6982AS
唯样编号 A-DMN3033LSD-13 A-FDS6982AS
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.99mm
功率 - 2W
零件号别名 - FDS6982AS_NL
正向跨导-最小值 - 32 S, 19 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14 m0hms,28 m0hms
上升时间 - 7 ns
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 5.0*3.99*1.5mm
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 6.3 A,8.6 A
配置 - Dual Dual Drain
长度 - 5mm
最低工作温度 - -55 °C
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 2
下降时间 - 3 ns
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 24 ns, 27 ns
漏源极电压Vds 30V 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 900mW
晶体管配置 - 隔离式
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
典型关闭延迟时间 - 24 ns
FET类型 2N-Channel 增强
系列 - PowerTrench, SyncFET
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 610pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 12 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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