首页 > 商品目录 > > > DMN3010LFG-7代替型号比较

DMN3010LFG-7  与  TPN8R903NL,LQ  区别

型号 DMN3010LFG-7 TPN8R903NL,LQ
唯样编号 A-DMN3010LFG-7 A36-TPN8R903NL,LQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333 MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@18A,10V 8.9 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2075 pF @ 15 V 820 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 100uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V 9.8 nC @ 4.5 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A(Ta),30A(Tc) 20A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
IRFHM8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFH8334TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN5X68L

暂无价格 0 对比
TPN8R903NL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比
TPN8R903NL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比
AON6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售