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DMN3010LFG-7  与  IRFH8334TRPBF  区别

型号 DMN3010LFG-7 IRFH8334TRPBF
唯样编号 A-DMN3010LFG-7 A-IRFH8334TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 3.2W(Ta),30W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@18A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2075 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 PQFN 5X6 8L
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A(Ta),30A(Tc) 14A(Ta),44A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1180pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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